国内最先建立的离子束开放研究实验室，在国际上占有一席之地 (柳襄怀)
祖国解放催生了新中国的科学事业，改革开放促进了共和国的科学发展。我国的科学技术工作者在为增强国力、发展国民经济服务的同时，也为走向世界科技前沿、在国际上占有应有地位而不懈努力。
1985年，中国科学院为了改变传统的封闭式的研究体制，冲破部门所有制的概念，探索研究机构的新模式，决定在若干重要的科学前沿和有广泛应用的学科领域内，有计划、有步骤地将一些基础和实验条件较好的实验室向国内外开放。实行开放、流动、联合的运行机制，积极促进国内外学术交流与合作，开展高水平的研究工作，出成果、出人才，使其能够代表国家的学术水平，并逐步走向世界科技前沿。当时，在数理化科学、资源与环境科学、生命科学和技术科学四大领域内共建立了95个开放实验室，（其中，有25个是国家重点建设的实验室）分布于18个省、自治区、直辖市。这些开放实验室的建立，对于有效地利用现有学术环境和科研设施、加强基础研究、推动我国科学事业的发展，起到了非常重要的作用。
离子束开放研究实验室是中国科学院第一批向国内外开放的实验室之一。这个实验室的建设和发展，从一个侧面很好地展示了‘祖国解放催生新中国的科学事业，改革开放促进共和国的科学发展’的生动历程。
中国科学院上海冶金研究所在国内最早开始离子束研究。早在二十世纪六十年代中期，上海冶金研究所的研究人员提出了集成电路干法处理工艺的“片（硅片）、外（外延单晶）、离（离子注入和离子束刻蚀）、电（电子束曝光制版）”新设想，开始研制离子束和电子束设备。1969年10月诞生了我国第一台离子注入和离子束分析设备。同年，建立了离子束实验室。1973年，与有关单位合作，仅比外国晚三年时间，用离子注入调节CMOS电路阈值电压技术，成功研制出我国自己的石英电子手表，并进行了小批量生产。该项目于1980年获得上海市重大科技成果奖三等奖。
科研人员利用离子注入机，探索到一种用背散射测试进行半导体表面分析的新工艺
这对进一步提高半导体器件的质量有重要意义（新华社供稿）
1978年，国内外大协作，率先开始半导体离子注入激光退火研究和离子背散射／沟道效应分析。 1979年3月15日，＜光明日报＞在头版头条，以《我国科技人员与丹麦道许教授合作，研究激光退火喜获成果》为题，对我们在改革开放以来的第一次国际科研合作成果作了报道。新华社还以图片新闻形式，在《无线电》期刊上刊登了《上海冶金研究所科研结硕果》的一组照片。《半导体离子注入激光退火研究》项目于1982年获得中国科学院重大科技成果奖二等奖。所有这些研究所取得的成果，在国内产生了良好的影响。
《光明日报》的头版头条科研成果报道
上海冶金研究所领导于1985年2月11日任命柳襄怀担任离子束实验室副主任，并指定由他具体负责筹建中国科学院离子束开放研究实验室。为了能够筹建成功，我们作了四方面的积极努力：一是向中国科学院提交开放实验室大纲和申请书；二是邀请专家对开放实验室筹建方案进行论证；三是寻求经费资助，购买必要的现代化实验设备；四是出国考察，学习外国离子束研究和应用的方向和经验。
在获得上海市经济委员会120万元、中国科学院上海分院100万元无息贷款支持下，经过艰苦的商业谈判，分别从日本和美国进口了当时最先进的两台离子束设备。
在对康奈尔大学、斯坦福大学、北卡罗纳大学、海军实验室、橡树岭国家实验室、硅谷及IBM、Bell、AT&T等10多个美国的重要离子束研究和应用单位进行了近一个月的考察访问后，形成了构建先进的离子束开放研究实验室的明确理念。
1984年4月18日，离子束开放研究实验室建设方案通过了由复旦大学校长、国际著名物理学家谢希德教授任主席的20多人组成的专家论证会的论证。1985年8月，正式建立了中国科学院离子束开放研究实验室。邹世昌院士、柳襄怀和王曦研究员前后担任这个国内最先建立的开放研究实验室主任。离子束开放研究实验室还由国内外著名的材料学家及离子束专家组成学术委员会。实验室坚持对国内外开放，每年都有不少客座学者承担和参加离子束开放研究实验室的课题研究，并取得了许多研究成果。
谢希德院士主持离子束开放实验室建设方案论证会
在日本，与ALVAC公司进行购买半导体离子注入机商业谈判
在美国考察访问时，受国际著名物理学家J. W. Mayer宴请
20多年来，离子束开放研究实验室先后承担了国家973、863、国家自然科学基金、国家杰出青年基金、中科院知识创新工程、中科院应用研究重点项目及上海市科技发展基金等一系列重大和重要的科研项目，取得了许多科研成果。发表了近千篇科研论文，申请了数十项专利，获得了国家科技进步奖一等奖等10多项科研成果奖,培养了一大批硕士和博士研究生，在离子束研究和应用方面有很大发展，在国内外有重要影响。
离子束开放研究实验室建立以后，学术研究活动更加广泛地走向国际舞台。先后与美国北卡纳罗拉大学和休斯顿大学、澳大利亚墨尔本皇家理工学院、匈牙利中央物理研究所、英国萨瑞大学、日本大阪大学等有关实验室签订了合作研究协议，相继开展了多个合作课题研究，取得了良好的研究结果．开放研究实验室的学术带头人邹世昌院士、柳襄怀和王曦研究员，分别担任了离子束领域三大系列国际会议IIT、IBMM和SMMIB的国际委 委员员会，在相应的国际学术会议上和国际委员会的活动中充分发挥了中国科学家的作用和影响，受到国际同行的好评和尊敬。1988年6月，离子束开放研究实验室在杭州组织召开了离子注入技术国际会议（IIT’88）硅离子注入专题讨论会。实验室主任邹世昌担任会议主席，国际著名的材料学家和离子注入专家，如美国康奈尔大学的J.W.Mayer教授，IBM研究中心的J.F.Ziegler博士，北卡罗纳大学的朱唯干教授，日本大阪大学的难波进教授等担任会议副主席。来自世界15个国家和地区的170余名科学工作者参加会议，其中国外正式代表47名，国内33个单位代表共120余人。在中国第一次召开的离子束领域的国际学术会议，使外国同行对中国的发展，对美丽的杭州和上海，对中国的离子束研究和成果，都留下了很好的印象。
大会主席邹世昌教授和副主席们在IIT’88杭州国际会议上
在1988至1999期间，由邹世昌院士和柳襄怀研究员发起并组织了六届中日及六届中韩双边离子束研究学术讨论会。长期担任两个双边学术会议的中方主席和会议主席，对中、日、韩三国之间的学术交流和离子束研究的发展起到重要的推动和促进作用。
中国科学院离子束开放研究实验室已在世界上占有一席之地，成为本学科在国际上具有一定知名度和影响力的实验室之一。担任SMMIB’05国际会议主席的Ａhmet. Oztarhan曾这样说道：“我十分尊敬中国的科学家和中国人民。我希望有很多中国学者来参加SMMIB’05国际会议，并带来他们新的思想和出色的工作成果。”
1999年9月在北京举行的SMMIB’99国际会议上，柳襄怀担任大会副主席 兼程序委员会负责人