工艺

SIMIT Nb03标准工艺

SIMIT Nb03超导集成电路（超导IC）制备工艺中，使用Nb作为超导层，SiO₂ 作为绝缘层。在不破真空的情况下利用多腔体磁控溅射制备Nb/Al-AlOx/Nb三层膜，通过高精度步进式曝光、感应耦合等离子刻蚀、离子束刻蚀、有机清洗等一系列微纳加工工艺，配合工艺中的终点检测、台阶测量及器件电学性能线下监测等监控手段，可实现大规模超导IC的高可靠制备。

剖面图
薄膜生长

磁控溅射

PECVD

蒸发镀膜

Nb03超导集成电路制备工艺中，磁控溅射制备超导层和电阻层等，由PECVD制备SiO₂绝缘层，接触层由电子束蒸发或磁控制备。
过程监控

台阶

精度

终点监测

Nb03超导集成电路制备工艺中，设计了一系列的台阶、精度、对准、终点监测等图案用于过程监控。
良品率提升

利用设计好的一系列的梳妆结构、层间交叉结构、约瑟夫森结、孔阵等用于低温下测试性能，并反馈回工艺，以提升芯片整体的良品率。
界面分析

界面是约瑟夫森结最重要的研究内容。通过混合氧气自然氧化的方式来氧化Al层形成势垒层，对其进行精细分析和精确调控非常必要。