光刻:

掩膜网格尺寸：JN0层的掩膜版设计网格尺寸为0.01 μm，IN0层网格尺寸为0.05 μm，其他层的网格尺寸为0.1？μm。

层	极性	网格尺寸 [μm]
RN0	明场	0.1
CN0	暗场	0.1
MN0	明场	0.1
AN0	明场	0.1
JN0	明场	0.01
IN0	暗场	0.05
MP1	明场	0.1
IP1	暗场	0.1
MP2	暗场	0.1
PP2	暗场	0.1

设计提交格式

1. 电路设计最终输出文件格式必须是GDS-II格式。
2. 提交的设计文件要小于10 MB，通过邮件发送到 llying@mail.sim.ac.cn。
3. 设计的芯片面积为 5,000μm x 5,000μm。整个晶圆里会有划片槽，划片槽宽是200μm。在5000微米外的划片槽里的图形都将被去除。
4. 也可以提交10mm和15mm的芯片设计。具体请联系jieren@mail.sim.ac.cn。
5. 发送设计文件给时，只需要发送GDS文件。几个芯片可以拼接在一起，拼接后包括划片槽总的尺寸不能超过15mm，超过10.6mm的掩膜版价格将增加到原来的4倍。
6. 所有cell的命名不能超过30个字母。Cell名字请使用常用字符，以免因不同电脑打开而出现一些乱码。