王镇，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员，中科院超导电子学卓越创新中心首席科学家，博士生导师。在日本长冈技术科学大学取得博士学位，曾在日本情报通信研究机构从事超导电子学研究工作。于2013年加入中国科学院上海微系统与信息技术研究所。 作为超导实验室超导器件研究方向负责人、中科院先导A专项的首席科学家，围绕我国先端超导元器件受制于人的核心问题和国家战略需求，规划部署上海超导中心的超导器件研发和超导电子学应用的发展愿景和技术路线，开展Nb系和NbN系超导薄膜和Nb/AlOx/Nb、NbN/AlN/NbN约瑟夫森隧道结、超导纳米线单光子探测器（SNSPD）、超导量子干涉器件（SQUID）、超导纳米量子干涉器件（nano-SQUID）等超导器件和电路研究。2014年自主SNSPD器件性能已达国际先进，彻底解决了我国SNSPD器件的有无问题；Nb/AlOx/Nb和NbN/AlN/NbN约瑟夫森隧道结的质量已经接近国际水平，并成功研制了我国第一个Nb系SQUID器件。以上工作和成果不仅为今后全面开展超导器件和电路研究打下坚实基础，也将对提升上海超导中心的国际地位和促进我国超导电子学的学科发展产生重要作用。 

       王镇研究员长期从事超导电子学领域研究工作，在超导薄膜和超导电子学器件物理、超导传感器与探测器、超导集成电路与量子器件等领域取得多项创新性成果。在Science、Nature、Phys. Rev. Lett.、Nano Lett.、IEEE等期刊发表了SCI论文300余篇，申请发明专利30余件。获日本邮政大臣奖、日本文部科学大臣奖、日本超导科学技术奖、中国光学工程学会技术发明奖等。入选国家级人才项目。