实验室前身为1985年成立的中科院离子束开放实验室，历经30余年努力，突破了4-8英寸SOI硅片和12英寸大硅片关键技术并实现产业化，实验室将进一步开展硅基二维...
高端硅基材料研究方向起源于1985年成立的中科院离子束开放实验室，最初主要集中在绝缘体上硅（SOI）材料相关研究领域，先后承担863、973等多项国家攻关项目。...
硅基光电子方向，通过建设200mm硅光子专用工艺平台，在硅基衬底上实现片上光源、高速电光调制器、高速探测器、无源光子回路等关键器件，开展SOI材料在光电子...
极端微电子学面向集成电路国际学术前沿问题和国家集成电路产业发展的重大需求，聚焦各种极端环境下的芯片应用，着力开展高性能高可靠集成电路工艺与设计平台...
王曦
俞跃辉
邹世昌
