课题组隶属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅基材料与集成器件实验室，致力于集成电路材料领域的前沿基础研究，开展绝缘体上硅（SOI）材料与器件、300mm硅片平坦化、氮化铝（AlN）材料及器件、电子束源、电子化学品、材料分析表征与材料基因组等方向的研究与创新。

课题组注重学科交叉与产学研协同，已取得的成果包括：原创性地提出并研制成功嵌入式空腔绝缘体上硅（VESOI）材料与器件；300mm硅片平坦化关键技术导入产业应用；发明研制出200mm全晶圆高通量薄膜沉积与表征PVD-ALD-XPS集簇设备；构建了集成电路材料基因组技术体系；超高频AlN射频器件性能达国际领先水平；研制出基于多孔硅的电子束源原型器件等。

课题组拥有功能齐整的集成电路材料表征分析平台、合成制备平台、应用研发平台。现有团队32人，包括正高级研究人员3人、副高级研究人员5人、中初级研究人员2人、项目管理人员3人、博士后5人、博士和硕士研究生14人。其中国家科技创新领军人才1人、上海市高层次引进人才1人、中国科学院百人计划2人。