个人履历

俞文杰，研究员，博士生导师，现任中国科学院上海微系统与信息技术研究所副所长、上海集成电路材料研究院有限公司董事长、上海市青年联合会第十三届副主席、中国集成电路创新联盟第三届理事会副理事长。2005年获复旦大学材料物理专业学士学位；2011年获中国科学院上海微系统与信息技术研究所微电子学与固体电子学博士学位；2009年-2011年获国家留学基金委资助，作为联合培养博士生在德国于利希研究中心学习。2011年6月至今在中国科学院上海微系统与信息技术研究所工作。  

俞文杰长期从事集成电路材料领域研究工作，在绝缘体上硅（SOI）、300mm硅片平坦化、集成电路材料基因组等领域取得多项创新性成果。在IEEE Electron Device Letter、 IEEE Transactions on Electron Devices、 Advanced Functional Materials等权威期刊发表了SCI论文100余篇，申请发明专利120余件，著有《集成电路材料基因组技术》。获2022年度上海市科技进步特等奖、2023年度中国科学院科技促进发展奖，入选2022年国家级科技创新领军人才。

代表性论文

1. Qi Huang, Yedi Li, Lei Zhu, Wenjie Yu, Hierarchical Deep Potential with Structure Constraints for Efficient Coarse-Grained Modeling, Journal of Chemical Information and Modeling, 2025,65(7), 3203-3214.

2. Qi Huang, Zuowei Chen, Ziwei Lin, Weimin Li, Wenjie Yu, Lei Zhu, Enhancing Copolymer Property Prediction through the Weighted-Chained-SMILES Machine Learning Framework, ACS Applied Polymer Materials, 2024, 6(7): 3666-3675.

3. Jin Chen, Qiang Liu, Zhiqiang Mu, Xing Wei, Wenjie Yu, Total Ionizing Dose Hardening of Planar SOI MOSFET through An Optimal Design Combining Embedded Void and H-gate Structures, IEEE Electron Device Letters, 2023, 44(10): 1608-1611.

4. Qiang Liu, Hongyang Zhou, Xin Jia, Yumeng Yang, Zhiqiang Mu, Xing Wei, Wenjie Yu, Novel void embedded design for total ionizing dose hardening of silicon-on-insulator MOSFET, IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(11), 1814-1817.

5. Wenjie Yu, Wangran Wu, Bo Zhang, Chang Liu, Jiabao Sun, Dongyuan Zhai, Yuehui Yu, Xi Wang, Yi Shi, Yi Zhao, Qing-Tai Zhao, Experimental Investigation on Alloy Scattering in sSi/ Si0.5Ge0.5/sSOI Quantum-Well p-MOSFET, IEEE Transactions on Electron Devices, 2014, 61(4): 950-952.

6. Wenjie Yu, Bo Zhang, Qing-Tai Zhao, Dan Buca, Xi Wang, Siegfried Mantl, Hole mobility enhancement of quantum-well p-MOSFETs on sSi/sSi0.5Ge0.5/sSOI heterostructure, 2012 12th International Workshop on Junction Technology, IEEE, 2012: 246-247.