半导体制造过程中，不断缩小的特征尺寸对晶圆及薄膜的表面平整度和光洁度的要求日益提高。化学机械抛光（CMP）技术从加工性能和速度上都能够满足晶圆加工的要求，是目前唯一可以实现全局平坦化的技术。

本课题组致力于化学机械抛光工艺及耗材的理论模拟及工艺实验研究。在工艺及耗材研究方面，结合多物理场耦合工艺仿真+AI技术，系统分析CMP过程中工艺-设备-材料影响，优化工艺流程和耗材设计，改善全局及边缘平坦度。在抛光液组分研究方面，基于分子动力学与量子化学的模拟研究，深入探讨并设计抛光液组分，提升CMP工艺的整体性能。

课题组的研究成果为提高CMP工艺的精度和效率提供了坚实的理论和实验基础，部分成果应用于行业龙头企业。