氮化铝（AlN）作为超宽禁带半导体材料的核心代表，其具有大禁带宽度（6.2eV）、高热导率（320W/m·K）、高熔点（2200°C）、独特的压电效应及宽光谱响应（深紫外至红外波段）等特性，通过掺杂还可实现禁带宽度可调、激发铁电效应，成为突破现有技术瓶颈、引领未来信息与能源变革的关键材料，可广泛应用于射频通信、功率电子、光电探测、智能传感等领域。

本课题组以氮化铝材料生长和异质集成技术为核心，研发基于氮化铝材料的射频滤波器，功率器件，铁电器件等器件。