在后摩尔时代，衬底材料创新和器件集成技术创新成为集成电路技术发展的重要驱动因素。绝缘体上硅（Silicon-on-insulator）衬底材料提供了独特的埋氧隔离、背栅调控等功能，其集成工艺较体硅衬底更为灵活，其在低功耗、高频通信、功率、传感器等领域获得了广泛应用，表现出较好的发展前景。

本课题组着眼于先进集成电路发展需求，开发一系列新型SOI衬底材料、开发多类新型器件集成技术，研究面向高性能、高可靠应用的器件技术，将半导体物理与实际应用相结合，形成具有自主特色的SOI材料及集成技术，主要方向包括：

1. 新型SOI衬底制备技术研究，包括新型层转移技术，多类特种SOI衬底制备技术；

2. 面向高性能、低功耗的SOI器件技术研究，包括SOI GAA器件、多栅器件、真空沟道器件；

3. 面向低温微电子器件技术研究，研究适配低温环境的高性能MOSFET器件。