电子束源是电子扫描显微镜（SEM）、电子透射显微镜（TEM）、电子束光刻设备（EBL）等机台设备的核心零部件，广泛用于光刻掩模板的制备、晶圆流片质量检测、元器件微结构表征等，贯穿了集成电路制造的全周期。

传统电子束源多采用单晶阴极灯丝、针尖等实现单电子束的发射，其电子束源的性能一致性较差、可集成能力弱、整机功耗大，且面临着较高的国际专利壁垒。本课题组依托多孔硅衬底材料，开发出具有良好电子束发射能力的电子束源，其器件工艺与传统CMOS集成工艺高度兼容，有望将电子束源芯片化，实现多源多束电子束源的应用，显著提升现有电子束系统的工作效率，简化电子光学系统，促进国产高端电子束设备的技术赶超。

此外，基于多孔硅材料技术，本课题组还发展出新型SOI衬底工艺技术、衬底表面加工技术等新的应用方向，致力于在衬底材料制备、集成工艺、新型器件应用等领域开拓新的技术路径。