实验室前身为1985年成立的中科院离子束开放实验室，历经30余年努力，突破了4-8英寸SOI硅片和12英寸大硅片关键技术并实现产业化，实验室将进一步开展硅基二维材料、异质集成材料、集成电路材料基因组、硅基光电子集成、功率器件、高端模拟集成电路和高可靠极端微电子学研究。