根据国家纳米科技的战略部署和国内外纳米技术的发展动态，以高密度、高速、低功耗、高可靠性的相变存储器（PCRAM）和高纯度纳米磨料与抛光液为主要研究对象，力争开发出具有自主知识产权的PCRAM芯片和纳米磨料与抛光液；搭建12英寸专用研发工艺平台，研制出基于130/110/40/28 nm且具有市场竞争力的PCRAM芯片产品，建立批量生产的技术数据库，将自主PCRAM芯片推向产业化。 

　　 主要研究内容包括：

（1）    高密度独立式三维相变存储器（3D PCRAM）研究：高速低功耗相变材料与高速可逆相变机理、阈值转变选通管材料与非线性机理、3D PCRAM电路设计；

（2）    高可靠性嵌入式PCRAM研究：高数据保持力相变材料与机理、高稳定性多值存储研究、相变存储器神经形态关键技术研究；

（3）    PCRAM芯片设计、测试与应用： 130/110/40/28 nm电路设计、芯片工艺设计、自主测试平台及8/12英寸测试系统、芯片封装测试及应用。

（4）    12英寸PCRAM工艺开发：纳米填充、抛光、刻蚀等工艺开发；1D、1R、纳米电极、介质包覆层等单项工艺开发；1T1R、1D1R工艺集成与优化。

（5）    高纯纳米磨料和抛光液：电子级纳米磨料、硅片抛光液、蓝宝石抛光液、相变材料抛光液。