开展太赫兹异质异构集成技术和硅基（含SOI、SiGe）太赫兹集成电路研究；开发以深亚微米磷化铟HEMT和DHBT为代表的毫米波和亚毫米波核心固态器件、硅基氮化镓射频器件，在新一代THz核心固态器件技术的竞争中领先。