光刻工艺

  • 紫外纳米光刻机

    用于多种基底材料的1:1掩膜投影光刻，最大4英寸，最小线宽100nm。 设备型号UVNANO-100-A设备简介用于多种基底材料的1:1掩膜投影光刻，最大4英寸，最小线宽100nm。技术指标：用于各种基底材料的单步光刻，曝光光源为LED(波365nm紫外光)，具有接触式曝光和步进式曝光相结合的曝光模式。
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  • 接触式曝光机

    可以用于各种基底器件制备中的单步或多流程的光刻工艺，UV400曝光系统，适用多种光刻胶，具有接近式、接触式和真空曝光三种模式，具备双面套刻对准功能。最大曝光面积6英寸，适用小片，最小线宽0.8μm，套刻精度最小可以达到0.5um。 设备型号
    　　SUSS MA6
    　　设备简介
    　　可以用于各种基底器件制备中的单步或多流程的光刻工艺，曝光光源为汞灯，波长为405nm紫外光。适用多种光刻胶，具有接近式、接触式和真空曝光三种模式，具备双面套刻对准功能（4寸标准晶圆适用双面套刻）。
    　　技术指标
    　　1)最大曝光面积6英寸；2)掩膜版尺寸：3寸/4寸/5寸;3)...
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  • 无掩膜激光直写光刻机

    用于多种基底上的直写光刻和套刻工艺，适用3/4/5/7/9寸掩膜版制版，可制备灰阶全息等光学掩膜。最小线宽0.6微米，套刻精度最小可达到0.5μm。 设备型号
    　　DWL66+
    　　设备简介
    　　可以用于微米尺度光刻工艺，3/4/5/7/9寸掩膜版制版，适用多种基底上的直写光刻和套刻工艺，可制备灰阶全息等光学掩膜。
    　　技术指标：
    　　1)基片尺寸：碎片（10mm×10mm以上），最大曝光面积200mm方形；2)分辨率：最高精度0.6μm；3)套刻精度：±0.5μm；4)曝光光源：405nm波长...
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刻蚀工艺

  • ICP 刻蚀机

    利用ICP辉光放电，形成活性的等离子体进行化学物理反应，主要用于Si、GaAs、InP和GaN等化合物材料刻蚀。 设备型号
    　　鲁汶仪器 HAASRODE-E200
    　　设备简介
    　　利用ICP辉光放电，形成活性的等离子体进行化学物理反应，主要用于Si...
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  • RIE 刻蚀机

    采用等离子体物理化学反应刻蚀，主要用于Si，SiO2，SiNx，PI，BCB等多种材料的刻蚀。 设备型号：
    　　SENTECH/SI 591
    　　设备简介：
    　　采用等离子体物理化学反应刻蚀，主要用于Si, SiO2, SiNx, PI, BCB等多种...
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  • ICP刻蚀机（III-V族材料）

    利用ICP辉光放电，形成活性的等离子体进行化学物理反应，主要用于GaAs、InP和GaN等化合物材料刻蚀 设备型号：Oxford/ICP180设备简介：利用ICP辉光放电，形成活性的等离子体进行化学物理反应，主要用于GaAs、InP和GaN等化合物...
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  • IBE 刻蚀机

    利用Ar离子物理刻蚀材料，可以用于Si，石英，介质，金属等物理刻蚀 设备型号：
    　　鲁汶仪器HAASRODE-1200
    　　设备简介：
    　　利用Ar离子物理刻蚀材料，可以用于Si，石英，介质，金属等物理刻...
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薄膜工艺

  • 磁控溅射系统02

    采用氢离子轰击靶材将薄膜沉积到基片上，可直流射频和多靶共溅射，可溅射Ni，CU，AL，AU及氮化物反应溅射。 设备型号SYSKEY/SP-LC8-A04设备简介采用氢离子轰击靶材将薄膜沉积到基片上，可直流射频和多靶共溅射，可溅射Ni，CU，AL，AU及氮化物反应溅射。技术指标1）基片大小：8英寸，兼容小片；2）极限真空；5E-7Torr；3）不均匀性≤±5%
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  • PECVD 介质膜沉积系统

    主要用于SiO2和SiNx介质膜沉积，适用于最大6英寸，具有低温低应力沉积工艺，片内片间不均匀性优于±5% 设备型号：
    　　SENTECH/SI 500D
    　　设备简介：
    　　采用ICP源等离子密度高损伤低，主要用于SiO2,、SiNx和SiONx高质量成膜。
    　　技术指标：
    　　1)基片大小：最大6英寸，兼容小片；2)射频功率：最大750W；3)工艺温度最高300℃；4)不均匀性≤±5% 
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  • 电子束蒸发系统

    利用高压电子束轰击靶材，将薄膜沉积到基片上，最大适用4英寸晶圆片及小片，可沉积金属Ti、Pt、Au、Ge、Ni，兼容liftoff工艺，不均匀性优于±5% 设备型号
    　　Mantis/Qbox450
    　　设备简介
    　　采用高能电子束将坩埚内源蒸发沉积到基片上，金属源有Ti、Pt、Au、Ge、Ni，速率0.1A/s~20A/s可调，晶振厚度监控。
    　　技术指标
    　　1)基片大小：最大4英寸，兼容小片；2)极限真空：8×10-5Pa；3)基片最高加热300℃；4)不均匀性：≤±5%
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  • 光学膜沉积系统

    采用Ar离子轰击将靶源沉积到基片上，膜系SiO2，Ta2O5 。不均匀性:≤0.1 %。 设备型号
    　　VEECO/SPECTOR
    　　设备简介
    　　采用Ar离子轰击将靶源沉积到基片上，膜系SiO2，Ta2O5。
    　　技术指标
    　　1)基片大小：2英寸；2)沉积速率≥2.5A/s；3)不均匀性：≤0.1%
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  • 磁控溅射系统01

    采用氩离子轰击靶材将薄膜沉积到基片上，可直流、射频及多靶共溅射，可溅射Ti、Pt、Au、Ta、Cr及氮化物反应溅射。 设备型号Lesker/PVD750设备简介采用氩离子轰击靶材将薄膜沉积到基片上，可直流、射频及多靶共溅射，可溅射Ti、Pt、Au、Ta、Cr及氮化物反应溅射。技术指标1)基片大小：最大6英寸，兼容小片2)极限真空：4×10-5Pa；3)不均匀性≤±5%
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表征测试

  • 扫描电子显微镜SEM

    表面形貌二次电子成像，微区元素定性、定量分析（ EDS ） ，微观组织结构分析（ EBSD ） ，微纳加工能力（ EBL ） 。 设备型号
    　　Zeiss SUPRA 55
    　　设备简介
    　　表面形貌二次电子成像，微区元素定性、定量分析（EDS），微观组织结构分析（E...
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  • 红外微光显微仪

    应用于电失效分析，检测器件封装微安级漏电，低阻抗短路， ESD击伤，闩锁效应，金属层底部短路，电容的漏电和短路。 设备型号
    　　ThermoFisher/ELITE
    　　设备简介
    　　应用于电失效分析，检测器件封装微安级漏电，低阻抗短路，ESD击伤，闩锁...
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  • 激光光束诱发阻抗值变化测试显微仪

    它对失效芯片的定位，电路短路、欧姆特性失效、以及接触不良等缺陷定位和成像。 设备型号
    　　ThermoFisher/MERIDIAN
    　　设备简介
    　　它对失效芯片的定位，电路短路、欧姆特性失效、以及接触不良等缺陷定...
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  • 表面轮廓仪

    Z向分辨率0.1nm，XY量程100nm 设备型号
    　　AMBIOS
    　　设备简介
    　　Z向分辨率0.1nm，XY量程100nm
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  • 共聚焦显微镜

    主要用于工艺过程中，光刻、刻蚀等工艺监控及器件三维形貌观测及分析。 设备型号
    　　Zeiss/LSM900
    　　设备简介
    　　主要用于工艺过程中， 光刻、刻蚀等工艺监控及器件三维形貌观测及分析。
    　　技...
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  • 半导体参数测试仪

    1 )支持多种类型器件如CMOS管、双极性晶体管、分立器件等。2 )可执行精确电流-电压和电容-电压测量。 设备型号
    　　Keysight B1500
    　　设备简介
    　　1)支持多种类型器件如CMOS管、双极性晶体管、分立器件等；2)可执行精确电流-...
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  • 小型扫描电子显微镜

    表面形貌及成分分析 设备型号
    　　Hitachi/T1000
    　　设备简介
    　　表面形貌及成分分析
    　　技术指标
    　　1）基片大小：≤2cm×2cm；2）放大倍数...
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  • 拉曼光谱仪

    用于化学组分与结构、分子相互作用分析，晶格完整性、量子尺寸效应和应力、物质鉴别。测量精度:优于±0.2 cm -1 . 设备型号
    　　拉曼光谱仪
    　　设备简介
    　　用于化学组分与结构、分子相互作用分析，晶格完整性、量子尺寸效应和应力、物质鉴...
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  • MPMS3 磁学测量系统

    利用极低温磁性环境对超导材料的抗磁特性、临界电流、中间态能隙以及自旋玻璃材料量子阻挫特性等进行研究。 设备型号
    　　MPMS3 磁学测量系统
    　　设备简介
    　　利用极低温磁性环境对超导材料的抗磁特性、临界电流、中间态能隙以及自旋...
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辅助工艺

  • 手动研磨机

    用于失效样品chip的背面减薄工艺和正面去层工艺，失效器件截面的制备。 设备型号:QATM Qpol 250设备简介:用于失效样品chip的背面减薄工艺和正面去层工艺，失效器件截面的制备。技术指标:1）研磨盘的尺寸为250mm2）转速50~500mmp可调3）旋转方向顺逆时针可调4）双盘可以同时进行
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  • 光固化机

    用于失效样品背面/截面制样工艺时的固定。 设备型号:Qmount设备简介:用于失效样品背面/截面制样工艺时的固定。技术指标:1）标准固化时间为60s2）固化时间0~100min可调3）可同时固化12个ϕ40mm的样品
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  • RTA快速热退火炉

    采用红外加热结合水冷与风冷控温，氮气氛围下的快速热处理，主要用于欧姆合金化等。最高温度500℃. 设备型号
    　　AllWin21/AW410
    　　设备简介
    　　采用红外加热结合水冷与风冷控温，氮气氛围下的快速热处理，主要用于欧姆合金化等。
    　　技术指标
    　　1）基片大小：最大4英寸，兼容小片；2）最高温度500℃；3）氮气氛围
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  • 清洗、湿法腐蚀及电镀

    ·带超声、水浴、废液回收、去离子水、氮气 ·常规酸碱湿法腐蚀，有机清洗，去胶 ·Au电镀 设备型号
    　　清洗、湿法腐蚀及电镀
    　　设备简介
    　　·带超声、水浴、废液回收、去离子水、氮气
    　　·常规酸碱湿法腐蚀，有机清洗，去胶
    　　·Au电镀 
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  • 抛光机

    利于不同材质的抛光液，对所要抛光的样品进行物理加工处理，使样品的厚度及表面粗糙度到达所要求范围。 对晶片实现抛光处理。用于硅基及砷化镓、磷化铟等三五族化合物半导体的减薄工艺。 设备型号:
    　　LP70
    　　设备简介:
    　　利于不同材质的抛光液，对所要抛光的样品进行物理加工处理，使样品的厚度及表面粗糙度到达所要求范围。 对晶片实现抛光处理。用于硅基及砷化镓、磷化铟等三五族化合物半导体的减薄工艺。
    　　技术指标:
    　　加工样品尺寸：6英寸、4英寸、2英寸及小片；
    　　硅片表面粗糙度：0.5nm
    ...
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  • 减薄机

    利于不同颗粒度的研磨液，对所要减薄的样品进行物理加工处理，使样品的厚度到达所要求范围实现减薄处理。用于硅基及砷化镓、磷化铟等三五族化合物半导体的减薄工艺。 设备型号:
    　　LP70
    　　设备简介:
    　　利于不同颗粒度的研磨液，对所要减薄的样品进行物理加工处理，使样品的厚度到达所要求范围实现减薄处理。用于硅基及砷化镓、磷化铟等三五族化合物半导体的减薄工艺。
    　　技术指标:
    　　加工样品尺寸：6英寸、4英寸、2英寸及小片；
    　　精度：4寸及以下±3um，6寸±5um；
    　　
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所级中心拟通过统筹规划、优化资源配置，加强技术支撑系统建设，建立装备一流、管理一流、技术服务一流的所级公共技术服务中心，实现仪器设备的高效共享利用。 沪ICP备05005483号-1

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