PECVD 介质膜沉积系统

设备型号：
SENTECH/SI 500D
设备简介：
采用ICP源等离子密度高损伤低，主要用于SiO2,、SiNx和SiONx高质量成膜。
技术指标：
1)基片大小：最大6英寸，兼容小片；2)射频功率：最大750W；3)工艺温度最高300℃；4)不均匀性≤±5% 

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