DWL66+

可以用于微米尺度光刻工艺，3/4/5/7/9寸掩膜版制版，适用多种基底上的直写光刻和套刻工艺，可制备灰阶全息等光学掩膜。
技术指标：

1)基片尺寸：碎片（10mm×10mm以上），最大曝光面积200mm方形；2)分辨率：最高精度0.6μm；3)套刻精度：±0.5μm；4)曝光光源：405nm波长半导体激光器，功率300mW；5)曝光速度：13mm²/min(@0.6mini-size)，40 mm²/min(@0.8mini-size)6)具备灰阶三维结构光刻功能