接触式曝光机

设备型号
SUSS MA6
设备简介
可以用于各种基底器件制备中的单步或多流程的光刻工艺,曝光光源为汞灯,波长为405nm紫外光。适用多种光刻胶,具有接近式、接触式和真空曝光三种模式,具备双面套刻对准功能(4寸标准晶圆适用双面套刻)。
技术指标
1)最大曝光面积6英寸;2)掩膜版尺寸:3寸/4寸/5寸;3)极限分辨率:0.8μm;4)可双面套刻,正面套刻精度±0.5μm,背面套刻精度±1μm;5)光强均匀性:优于2.5%@6英寸晶圆

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