ICP刻蚀机（III-V族材料）

设备型号：
SENTECH/SI500
设备简介：
利用ICP辉光放电，形成活性的等离子体进行化学物理反应，主要用于三五族化合物以及金属等材料蚀刻。
技术指标：
1)基片大小：8英寸,兼容小片；2)ICP源功率：最大1100W；3)RF源功率：最大600W；4)不均匀性：≤±5%；

附件下载：

    所级中心拟通过统筹规划、优化资源配置，加强技术支撑系统建设，建立装备一流、管理一流、技术服务一流的所级公共技术服务中心，实现仪器设备的高效共享利用。 沪ICP备05005483号-1

    友情链接
    联系方式