ICP 刻蚀机

设备型号
鲁汶仪器 HAASRODE-E200
设备简介
利用ICP辉光放电，形成活性的等离子体进行化学物理反应，主要用于Si、GaAs、InP和GaN等化合物材料刻蚀。
技术指标
1)基片大小：最大8英寸，兼容小片；2)ICP源功率： 最大1200W；3)RIE源功率：最大1000W；4)下电极温度：-20℃~80℃；5)不均匀性：≤±5%；

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