BL03U 高分辨角分辨光电子能谱实验站
角分辨光电子能谱实验站位于上海同步辐射光源BL-03U光束线终端实验区。建成的ARPES/STM/MBE(Laser MBE)集成系统，有效规避了传统ARPES的局限，极大拓展了电子结构研究的应用范围，可以实现对样品材料的电子结构设计和控制研究。而且，该平台能谱测量入射光源同时具备高分辨率、高亮度的低能深紫外激光以及连续可调、可变偏振的EPU束线光源，能够对各类样品开展更加全面和细致的电子结构研究，是目前国内综合性最强、最全面的角分辨光电子能谱实验站。实验站的设计兼顾了样品温度和能量分辨率这两个最重要的性能指标，为实现高质量的样品电子结构测量提供了优秀的实验平台。
线站主要参数：
光子能量范围：7~450 eV； 样品处光斑尺寸：~15 um x 15 um； 样品温度：6 K
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真空紫外EPU光束线，能量范围：7~160 eV（基波）160~450 eV（高次谐波） -
高精度电子结构实验站 -
超高分辨六轴低温样品架 -
Pan-type自制扫描头 -
Nano ARPES 分支线 -
实验站示意图 -
光束线能量分辨率(E/ΔE): 45000 @ 21.7 eV -
光束线能量分辨率 (E/ΔE): 47000 @ 48.6 eV -
竖直方向样品处光斑尺寸 -
水平方向样品处光斑尺寸 -
能量分辨率 多晶Au，温度7 K，6.45 eV激光 -
Bi2Se3 和 Bi-2212 激光和同步辐射 -
单晶NbSe2样品，温度440 mK，激励电压100 μV，频率471 Hz -
单晶NbSe2样品，温度5 K，V=100 mV，I=1 nA