狄增峰，研究员，博士生导师。2001年毕业于南京大学基础学科教学强化部，2006年在中国科学院上海微系统与信息技术研究所微电子与固体电子学专业获得博士学位，其中2004年3月至2005年9月在香港城市大学物理与材料科学系进行联合培养。2006年至2010年在美国能源部Los Alamos国家实验室从事博士后研究工作。2010年9月作为海外杰出人才引进，被中国科学院上海微系统与信息技术研究所聘为研究员。

致力于SOI材料、器件与电路研究，发展超薄SOI材料制造新方法，在国内研制出第一批8英寸应变SOI晶圆片，探索二维SOI材料，国际上首次在半导体锗衬底上实现大面积石墨烯生长，研制成功二维sGrOI晶圆和二维集成电路芯片。以通讯/第一作者身份在Nature、 Nat. Electron、Sci. Adv.、Nat. Commun. 等国际期刊发表论文90余篇。授权国际发明专利6件，授权国内发明专利100余件。先后获得中国青年科技奖、上海市自然科学一等奖、上海市青年科技杰出贡献奖等。入选国家级杰出青年基金、百千万人才工程、“WR计划领军”等人才计划。