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以氧化铝（AlN)为绝缘埋层的SOI材料制备方法

专利名称:	以氧化铝（AlN)为绝缘埋层的SOI材料制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	98122067.3
专利号:
申请日期:	1998-12-4
第一发明人:	林成鲁
第一发明人英文:
其他发明人:	张苗、王连卫、黄继颇、多新中
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2002-7-31
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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