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制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系

专利名称:	制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	01112872.0
专利号:
申请日期:	2001-5-11
第一发明人:	李爱珍
第一发明人英文:
其他发明人:	林春、郑燕兰、简贵胄、张永刚
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2004-6-2
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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