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一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法

专利名称:	一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	01126543.4
专利号:
申请日期:	2001-8-24
第一发明人:	张苗
第一发明人英文:
其他发明人:	安正华、林成鲁、沈勤我、刘卫丽
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2005-1-12
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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