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异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法

专利名称:	异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	02112412.4
专利号:
申请日期:	2002-7-5
第一发明人:	齐鸣
第一发明人英文:
其他发明人:	李爱珍、赵智彪
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2004-12-1
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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