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一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法

专利名称:	一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	03151252.6
专利号:
申请日期:	2003-9-26
第一发明人:	董业民
第一发明人英文:
其他发明人:	王曦、陈猛、李志坚、田立林、何平、林羲
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2006-6-28
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: