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一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法

专利名称:	一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射性能的方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200410017788.3
专利号:
申请日期:	2004-4-21
第一发明人:	于伟东
第一发明人英文:
其他发明人:	王曦、张继华、张福民、柳襄怀
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2007-10-10
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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