2025年7月8日 星期二
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一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法
专利名称: 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法
专利类别: 发明
申请号: 200410067219.x
申请日期: 2004-10-15
第一发明人: 刘卫丽
其他发明人: 宋志棠、封松林、陈邦明
专利授权日期: 2007-10-10
其他备注: 授权