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氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法

专利名称:	氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200410053351.5
专利号:
申请日期:	2004-7-30
第一发明人:	于广辉
第一发明人英文:
其他发明人:	雷本亮、叶好华、齐鸣、李爱珍
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2008-6-25
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: