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提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法

专利名称:	提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200610024846.4
专利号:
申请日期:	2006-3-17
第一发明人:	张恩霞
第一发明人英文:
其他发明人:	张正选、王曦、林成鲁、林梓鑫、钱聪、贺威
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2008-3-5
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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