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用于Ⅲ-V族化合物器件的低温Au-In-Au键合方法

专利名称:	用于Ⅲ-V族化合物器件的低温Au-In-Au键合方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200710039882.2
专利号:
申请日期:	2007-4-24
第一发明人:	谢正生
第一发明人英文:
其他发明人:	吴惠桢、劳燕锋、刘成、曹萌、黄占超
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2011-4-20
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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