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一种高密度植入式平面阵列微电极及制作方法

专利名称:	一种高密度植入式平面阵列微电极及制作方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200710040830.7
专利号:
申请日期:	2007-5-18
第一发明人:	李刚
第一发明人英文:
其他发明人:	孙晓娜、周洪波、姚源、赵建龙
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2009-12-2
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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