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降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法

专利名称:	降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200710044476.5
专利号:
申请日期:	2007-8-1
第一发明人:	宋志棠
第一发明人英文:
其他发明人:	饶峰、吴良才、封松林
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2009-10-21
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: