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采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法

专利名称:	采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200710173110.8
专利号:
申请日期:	2007-12-26
第一发明人:	王新中
第一发明人英文:
其他发明人:	于广辉、雷本亮、林朝通、王笑龙、齐鸣
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2010-6-16
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	专利权变更成德泓（福建）光电科技有限公司2011-7-15
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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