专利库----中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利库

　　

纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法

专利名称:	纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200710173683
专利号:
申请日期:	2007-12-28
第一发明人:	杨恒
第一发明人英文:
其他发明人:	吴燕红、成海涛、王跃林
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2009-12-23
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

版权所有 © 中国科学院上海微系统与信息技术研究所　沪ICP备05005483号-1
电话：021-62511070　传真：021-62524192
地址：上海市长宁路865号　邮编：200050