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混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用

专利名称:	混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构、方法及应用
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200810040645.2
专利号:
申请日期:	2008-7-16
第一发明人:	马小波
第一发明人英文:
其他发明人:	刘卫丽、宋志棠、李炜、林成鲁
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2011-9-21
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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