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一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法

专利名称:	一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200810041394.X
专利号:
申请日期:	2008-8-5
第一发明人:	吴良才
第一发明人英文:
其他发明人:	宋志棠、绕峰、封松林
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2009-10-28
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: