2025年6月16日 星期一
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双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法
专利名称: 双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法
专利类别: 发明
申请号: 200810041516.5
申请日期: 2008-8-8
第一发明人: 张挺
其他发明人: 宋志棠、万旭东、刘波、封松林、陈邦明
专利授权日期: 2010-4-7
其他备注: 授权