专利库----中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利库

　　

利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚模GaN质量的方法

专利名称:	利用均匀纳米粒子点阵掩模提高厚模GaN质量的方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200810042459.2
专利号:
申请日期:	2008-9-3
第一发明人:	王新中
第一发明人英文:
其他发明人:	于广辉、林朝通、曹明霞、巩航、齐鸣、李爱珍
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2009-10-7
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	专利权变更成德泓（福建）光电科技有限公司2011-7-15
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

版权所有 © 中国科学院上海微系统与信息技术研究所　沪ICP备05005483号-1
电话：021-62511070　传真：021-62524192
地址：上海市长宁路865号　邮编：200050