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采用阈值电压可调的场效应晶体管选通电阻转换存储单元及其方法

专利名称:	采用阈值电压可调的场效应晶体管选通电阻转换存储单元及其方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200810200269.9
专利号:
申请日期:	2008-9-23
第一发明人:	张挺
第一发明人英文:
其他发明人:	宋志棠、丁晟、刘波、封松林、陈邦明
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2012-6-27
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: