2025年7月29日 星期二
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实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法
专利名称: 实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法
专利类别: 发明
申请号: 200810204987.3
申请日期: 2008-12-30
第一发明人: 宋志棠
其他发明人: 刘卫丽、陈超
专利授权日期: 2011-11-16
其他备注: 授权