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GSMBE制备III-V化合物半导体纳米管结构材料的方法
专利名称: GSMBE制备III-V化合物半导体纳米管结构材料的方法
专利名称英文:
专利类别: 发明
申请号: 200910054392.9
专利号:
申请日期: 2009-7-3
第一发明人: 艾立鹍
第一发明人英文:
其他发明人: 徐安怀 孙 浩 齐 鸣 朱福英
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期: 2011-11-9
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注: 授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: