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精确控制四元系半导体体直接带隙材料组分的生长与表征方法

专利名称:	精确控制四元系半导体体直接带隙材料组分的生长与表征方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200910198255.2
专利号:
申请日期:	2009-11-3
第一发明人:	顾溢
第一发明人英文:
其他发明人:	张永刚
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2012-11-14
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: