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混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管

专利名称:	混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	200910199725.7
专利号:
申请日期:	2009-12-1
第一发明人:	肖德元
第一发明人英文:
其他发明人:	王曦、张苗、陈静、薛忠营
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2011-4-27
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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