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一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法

专利名称:	一种高速高密度三维电阻变换存储结构的制备方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	201010172878.5
专利号:
申请日期:	2010-5-13
第一发明人:	马小波
第一发明人英文:
其他发明人:	张挺; 刘卫丽; 宋志棠; 刘旭焱; 杜小锋
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2012-7-11
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

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