2025年3月9日 星期日
专利库
  
实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法
专利名称: 实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法
专利类别: 发明
申请号: 201010220390.5
申请日期: 2010-7-6
第一发明人: 陈静
其他发明人: 伍青青; 罗杰馨; 肖德元; 王曦
专利授权日期: 2012-4-11
其他备注: 授权