2025年7月20日 星期日
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利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法
专利名称: 利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法
专利类别: 发明
申请号: 201010223135.6
申请日期: 2010-7-7
第一发明人: 张苗
其他发明人: 张波、王曦、薛忠营、魏星、武爱民
专利授权日期: 2012-9-26
其他备注: 授权