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可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构

专利名称:	可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	201010231661.7
专利号:
申请日期:	2010-7-20
第一发明人:	程新红
第一发明人英文:
其他发明人:	何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2012-10-3
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期: