专利库----中国科学院上海微系统与信息技术研究所

专利库

　　

一种具有线性缓冲层的SOI超结LDMOS制作方法

专利名称:	一种具有线性缓冲层的SOI超结LDMOS制作方法
专利名称英文:
专利类别:	发明
申请号:	201010234294.6
专利号:
申请日期:	2010-7-22
第一发明人:	程新红
第一发明人英文:
其他发明人:	何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
其他发明人英文:
国外申请日期:
国外申请方式:
国外申请方式英文:
专利授权日期:	2012-7-11
缴费情况:
缴费情况英文:
实施情况:
实施情况英文:
其他备注:	授权
其他备注英文:
专利证书号:
专利摘要:
专利摘要英文:
国外授权日期:

版权所有 © 中国科学院上海微系统与信息技术研究所　沪ICP备05005483号-1
电话：021-62511070　传真：021-62524192
地址：上海市长宁路865号　邮编：200050